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> > > 孙策
华林科纳通过湿法蚀刻改善 InAs工艺报告
使用基于(NH4)2Cr2O7和HBr的水性蚀刻剂研究溶解模型。湿化学清洗包括蚀刻(晶体与蚀刻剂成分相互作用后半导体溶解)和抛光/平滑。为了研究抛光方法对晶体溶解特性和表面状态质量的影响...
时间:2022年02月15日
共1页/1条
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